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1980年左右，中科院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机，于1981年研制成功两台样机。

而由于美国在50年代就已经拥有了接触式光刻机，相比之下，中国落后了将近20年，同时国外从1978年开始转向分步重复投影光刻，此时中国科学界也认识到，分布投影光刻技术的优越性，但限于国内工业技术差难以实现。

在1978年世界上第1台DSW光刻机问世不久，机电部第45所，就开始跟踪研究分步式光刻机，对标美国的4800DSW，1985年研制出了BG-101分部光刻机样机，并通过电子部技术鉴定，认为达到了美国同类产品水平，而当时采用的是436纳米G线光源。

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这也就意味着1985年的时候，中国在高科技领域与国外的差距拉近到了7年左右，也就是达到了美国1978年的水平。

可以看出国产光刻机。研发在上世纪70年代后期起不直到80年代，后期技术一直在推进，并且取得了一定的代表性成果。

然而到了80年代中后期，中国却因为技术封锁以及买办思想盛行，造成了光刻机的落后。

当时的巴统协议不批准向中国出售先进的设备，国外工艺线已用0.5微米的设备时，却只对我国出口1.5微米的设备，整整差了三代，此外8组还规定对我国出口的光刻机镜头na必须小于0.17，既只能有二微米以上的分辨率。

所以说目前段云从日本东芝引进的三微米芯片制程生产线，是正好符合巴统协议要求的，而目前日本最先进的0.9微米制程的芯片生产线，是巴统协议严格禁止对中国出口的。

段云如果想制作出一微米制程的芯片，目前是不可能从国外直接买到现成设备的，只能靠国内研发。

因为买办思想的盛行，当时中国的光刻机虽然技术领先，但是也遇到很多的问题，因为搞研发就需要有很多的资金投入，但这些资金投入之后，有一些技术上的问题，在当时又不能够很好的解决，因此看到国外很多先进的设备之后，国家也就放弃了，对设备的研发变成了购买。

这样最终就导致了中国的光刻机研发上完全停滞，很多搞光刻机研发公司因为没有资金的支持就变得岌岌可危，最后公司也倒闭破产。

段云如果想制作出世界领先的NAND闪存芯片，并且在闪存芯片领域保持长期的优势地位，那就必须要有更先进的光刻机。

在摩尔定律下，每18个月集成电路上可容纳的晶体管数目就会增加一倍，这就需要生产芯片的光刻机保持迭代。

段云可以选择投资开发国产光刻机，但投入的资金比较大，而且周期也比较长，有点远水解不了近渴。

经过一番思考后，段云决定做两方面的准备，一方面就是和国内的科研院所相关机构合作，共同开发工作机。

另外一方面就是要想方设法从国外直接购买作为先进的一微米制成光刻机，解决当前的芯片生产线升级问题。

但是从哪一家购买光刻机却成了一个问题。